SEM和TEM
SEM使用一组特定的线圈以光栅样式扫描样品并收集散射的电子。TEM使用透射电子，收集透过样品的电子。因此TEM提供了样品的内部结构，如晶体结构、形态、应力状态信息；而SEM则提供了样品表面及其组成信息。两者最大区别在于“最佳空间分辨率”，SEM的分辨率在~0.5nm，TEM在球差校正的加持下分辨率已经可以小于50pm。
| SEM | TEM | |
| 电子类型 | 散射电子 | 透射电子 |
| 高压 | ~1-15 kV | ~60-300 kV |
| 制样厚度 | 任何厚度 | 通常<150 nm，甚至<30 nm |
| 信息类型 | 表面3D图 | 内部结构2D投影图 |
| 最大放大倍数 | 100-200万 | 5000万 |
| 最大FOV | 大 | 有限 |
| 最佳空间分辨率 | ~0.5 nm | <50 pm |
| 图像形成 | 电子被检测器捕获并计数，在PC屏幕上显示图像 | 用CCD在荧光屏幕或PC屏幕上直接成像 |
| 操作 | 相对简单 | 相对复杂 |
STEM
光束被精确聚焦并扫描样品区域（如SEM），而图像由投射电子产生（如TEM）。
EDX和EELS
- 能量色散X射线光谱（EDX）：在SEM中是常见的分析方法（STEM亦可），用于通过加成呢样品被电子撞击时发射的X射线来识别样品的成分。
- 电子能量损失光谱（EELS）：只能在STEM模式工作的TEM系统中实现，能够反应材料的原子和化学成分、电子性质、局部厚度测量等。
参考资料
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